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  • 頭條青島科技大學(xué)學(xué)者提出典型缺陷下配電電纜附件內(nèi)部電場的畸變規(guī)律
    2022-11-11 作者:李國倡、梁簫劍 等  |  來源:《電工技術(shù)學(xué)報》  |  點(diǎn)擊率:
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    導(dǎo)語青島科技大學(xué)先進(jìn)電工材料研究院、國網(wǎng)山東省電力公司電力科學(xué)研究院的研究人員李國倡、梁簫劍、魏艷慧、蘇國強(qiáng)、雷清泉,在2022年第11期《電工技術(shù)學(xué)報》上撰文,圍繞配電網(wǎng)電纜附件復(fù)合絕緣XLPE/SIR界面,模擬電纜附件安裝和運(yùn)行過程中出現(xiàn)的典型缺陷,設(shè)計了界面氣泡、氣隙、水珠、水膜、金屬雜質(zhì)、半導(dǎo)電雜質(zhì)和絕緣雜質(zhì)七種缺陷結(jié)構(gòu),通過建立配電電纜附件界面缺陷電場仿真模型,研究了缺陷類型、大小和位置對電場分布的影響。他們的研究結(jié)果對于配電網(wǎng)電纜附件故障分析和運(yùn)行維護(hù)具有重要的指導(dǎo)意義。

    城市配電網(wǎng)的快速發(fā)展對電纜線路的需求日益增多,相比架空線路而言,電纜線路具有安全性好、可靠性高、受惡劣氣象條件影響小等優(yōu)點(diǎn)。配電網(wǎng)電纜附件作為配電電纜線路的關(guān)鍵部件,其絕緣性能直接關(guān)乎整個線路的安全運(yùn)行。

    電纜附件是電纜線路中絕緣最為薄弱的部件,導(dǎo)致電纜接頭故障在電纜運(yùn)行故障部位分布中占有較大比例。據(jù)統(tǒng)計,造成電纜附件運(yùn)行故障的原因較多,主要包括附件密封性差導(dǎo)致絕緣受潮、復(fù)合界面壓力不匹配、復(fù)合界面在安裝過程中殘留固體雜質(zhì)以及操作不當(dāng)產(chǎn)生劃痕等。通常,在電纜附件故障分析中,單純采用試驗(yàn)手段較難復(fù)現(xiàn)故障狀態(tài),且成本較高。

    受到安裝條件、安裝技術(shù)以及運(yùn)行環(huán)境、材料自身性能等因素的影響,在電纜施工過程中容易產(chǎn)生氣泡、雜質(zhì)、劃痕等缺陷,此外在電纜運(yùn)行過程中,水分可能會進(jìn)入電纜接頭的內(nèi)部形成水珠和受潮等缺陷。在電纜的長期運(yùn)行中,上述因素往往是誘發(fā)電纜附件故障最直接的原因,開展仿真計算有助于全面掌握缺陷帶來的影響。

    目前,針對配電網(wǎng)電纜附件復(fù)合絕緣界面缺陷的對比研究較少。電纜附件安裝和運(yùn)維過程中,復(fù)合絕緣界面氣泡、水膜、雜質(zhì)等不同缺陷類型會影響部件內(nèi)部電場分布規(guī)律,此外,相同的缺陷在不同位置引起的電場畸變也會發(fā)生改變。但由于電纜附件結(jié)構(gòu)復(fù)雜,在其內(nèi)部準(zhǔn)確設(shè)計氣泡、水膜、雜質(zhì)等缺陷較為困難。

    在缺陷引入過程中,不可避免地容易在電纜絕緣本體、附件增強(qiáng)絕緣本體或界面其他位置引入新的缺陷,導(dǎo)致局放起始電壓、局部放電量不能準(zhǔn)確反映某一缺陷類型;此外,不同位置的缺陷引起的局放特征量相似,較難區(qū)分缺陷位置帶來的影響。因此,通過仿真手段系統(tǒng)開展電纜附件界面缺陷研究對預(yù)防不同類型接頭缺陷引發(fā)的絕緣故障以及事后故障分析具有重要意義。

    青島科技大學(xué)先進(jìn)電工材料研究院、國網(wǎng)山東省電力公司電力科學(xué)研究院的研究人員李國倡、梁簫劍、魏艷慧、蘇國強(qiáng)、雷清泉,在2022年第11期《電工技術(shù)學(xué)報》上撰文,圍繞配電網(wǎng)電纜附件復(fù)合絕緣XLPE/SIR界面,模擬電纜附件安裝和運(yùn)行過程中出現(xiàn)的典型缺陷,設(shè)計了界面氣泡、氣隙、水珠、水膜、金屬雜質(zhì)、半導(dǎo)電雜質(zhì)和絕緣雜質(zhì)七種缺陷結(jié)構(gòu),通過建立配電電纜附件界面缺陷電場仿真模型,研究了缺陷類型、大小和位置對電場分布的影響。他們的研究結(jié)果對于配電網(wǎng)電纜附件故障分析和運(yùn)行維護(hù)具有重要的指導(dǎo)意義。

    圖1 電纜附件復(fù)合絕緣界面缺陷示意圖

    他們的仿真結(jié)果表明:

    1)氣泡缺陷與氣隙缺陷在界面上引起的最大場強(qiáng)畸變分別為13kV/mm和4.58kV/mm,均超過空氣擊穿閾值,相比良好絕緣附件而言,最大畸變電場分別增加了6.19倍和2.48倍。隨著氣泡缺陷尺寸的增加,電場畸變呈小幅增大趨勢;遠(yuǎn)離應(yīng)力錐的位置,尺寸變化引起的電場強(qiáng)度變化較小。

    2)水珠缺陷和水膜缺陷引起的最大畸變電場均出現(xiàn)在XLPE絕緣、SIR絕緣與應(yīng)力錐三結(jié)合點(diǎn)附近,分別為2.94kV/mm和3.74kV/mm。隨著缺陷尺寸的增大,電場畸變明顯加劇,當(dāng)尺寸增大為兩倍時,水珠和水膜引起的最大畸變電場分別提高了18.7%和16%;隨著水珠缺陷遠(yuǎn)離三結(jié)合點(diǎn),電場畸變明顯減弱,且受尺寸影響變化較小。

    3)金屬雜質(zhì)與半導(dǎo)電雜質(zhì)造成的最大畸變電場均出現(xiàn)在距離半導(dǎo)電斷層約22mm處,約為3.67kV/mm;相比而言,絕緣缺陷引起的最大電場畸變出現(xiàn)在應(yīng)力錐根部,約為8.74kV/mm,隨著缺陷遠(yuǎn)離應(yīng)力錐根部,電場畸變呈現(xiàn)明顯的下降趨勢。

    本文編自2022年第11期《電工技術(shù)學(xué)報》,論文標(biāo)題為“配電電纜附件復(fù)合絕緣界面缺陷類型和位置對電場分布的影響研究”。本課題得到了國網(wǎng)山東省電力公司科技項(xiàng)目的支持。