国产精品不卡在线,精品国产_亚洲人成在线高清,色亚洲一区,91激情网

  • 頭條哈工大科研團隊提出新型的非對稱雙路同步諧振柵極驅(qū)動電路
    2022-03-01 作者:高珊珊,王懿杰 等  |  來源:《電工技術學報》  |  點擊率:
    分享到:
    導語本文提出了一種適用于氮化鎵(GaN)器件的非對稱電壓諧振柵極驅(qū)動電路,具有不同的開通關斷電壓,減小了電路中寄生參數(shù)對驅(qū)動電路的影響。對于需要兩個同步開關的應用場合,如開關電感變換器等,采用具有兩個副邊的變壓器實現(xiàn)兩路隔離同相驅(qū)動信號的輸出。提出了優(yōu)化的諧振電感參數(shù)設計方法,提升了驅(qū)動電路的效率。

    團隊介紹

    • 高珊珊,博士研究生,主要研究方向為高頻功率變換器、高電壓增益變換器。曾參與國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金項目,以第一作者發(fā)表SCI、EI論文12篇,授權國家發(fā)明專利2項。
    • 王懿杰,哈爾濱工業(yè)大學教授,博士生導師,1982年出生于黑龍江省,主要研究方向包括照明電子、無線電能傳輸技術、高頻以及超高頻功率變換技術。共發(fā)表SCI/EI檢索文章150余篇,授權發(fā)明專利16項,受理25項。

    研究背景

    近年來,伴隨著以氮化鎵(GaN)為代表的第三代寬禁帶半導體器件的不斷成熟,高頻、高功率密度成為電力電子變換器的主要發(fā)展方向。傳統(tǒng)驅(qū)動電路在高頻應用場合下存在損耗較大、驅(qū)動速度有限的問題,因此在高頻應用場合多采用諧振式驅(qū)動電路。然而,與硅器件不同,GaN器件的開通閾值電壓相對較低,易受到電路中震蕩的影響;且沒有體二極管,反向?qū)▔航递^大,因此傳統(tǒng)的諧振柵極驅(qū)動電路不適用于GaN器件。

    論文所解決的問題及意義

    本文針對高頻應用場合中寄生參數(shù)易引起驅(qū)動信號震蕩的問題,結合GaN器件特點,提出了一種基于電壓移位電路的非對稱諧振柵極驅(qū)動,可靈活調(diào)節(jié)開通和關斷電壓,提升了驅(qū)動方案的可靠性及效率。此外,對于需要兩個同步開關的應用場合,如開關電感變換器等,采用具有兩個副邊的變壓器實現(xiàn)兩路隔離同相驅(qū)動信號的輸出。

    論文方法及創(chuàng)新點

    本文提出的基于電壓移位電路的非對稱諧振柵極驅(qū)動電路如圖1所示。其中變壓器有兩個副邊,原副邊匝比為1:1:1,可實現(xiàn)原副邊的隔離以及兩路同步信號的輸出。

    相比于傳統(tǒng)方案,減少了一組全橋電路,電路結構更加簡單同時損耗也相應減小。通過變壓器副邊的漏感Lr與開關管的寄生電容諧振,取消了抑制振蕩的柵極電阻,可提升開關速度并且降低損耗。同時增加電平移位電路調(diào)節(jié)驅(qū)動電壓偏置,通過調(diào)節(jié)電阻R1、R2大小,使驅(qū)動信號的電壓滿足開關器件的要求。

    圖中諧振電感大小直接決定著驅(qū)動電路的充電電流和開關速度,同時影響諧振網(wǎng)絡的工作狀態(tài)和S1-S4的軟開關情況,從而影響驅(qū)動電路的效率。因此,在滿足諧振條件的情況下,諧振電感的選擇應綜合考慮開關速度、系統(tǒng)損耗及防止開關誤動作的問題。

    哈工大科研團隊提出新型的非對稱雙路同步諧振柵極驅(qū)動電路

    圖1 基于變壓器的諧振柵極驅(qū)動電路

    結論

    本文針對GaN器件提出了一種具有非對稱電壓和兩個同步驅(qū)動信號的諧振柵極驅(qū)動電路。本文在傳統(tǒng)的諧振驅(qū)動電路的基礎上,增加負電壓以確??煽筷P斷,并基于電壓移位電路產(chǎn)生較小的關斷電壓以降低損耗。此外,采用具有兩組副邊的變壓器來產(chǎn)生兩個同步驅(qū)動信號,可應用于如開關電感變換器等應用場合。通過優(yōu)化諧振電感參數(shù),在1MHz開關頻率下,所提出的諧振驅(qū)動電路損耗相比于基于驅(qū)動芯片的硬驅(qū)動電路效率可大幅提升。

    引用本文

    高珊珊,王懿杰,劉怡寧,徐殿國. 針對GaN器件的非對稱雙路同步諧振柵極驅(qū)動電路[J]. 電工技術學報, 2021, 36(20): 4185-4193. Gao Shanshan, Wang Yijie, Liu Yining, Xu Dianguo. Resonant Gate Driver with Asymmetrical Voltage and Two Synchronous Drive Signals for GaN Switches. Transactions of China Electrotechnical Society, 2021, 36(20): 4185-4193.