近年來,伴隨著以氮化鎵(GaN)為代表的第三代寬禁帶半導體器件的不斷成熟,高頻、高功率密度成為電力電子變換器的主要發(fā)展方向。傳統(tǒng)驅(qū)動電路在高頻應用場合下存在損耗較大、驅(qū)動速度有限的問題,因此在高頻應用場合多采用諧振式驅(qū)動電路。然而,與硅器件不同,GaN器件的開通閾值電壓相對較低,易受到電路中震蕩的影響;且沒有體二極管,反向?qū)▔航递^大,因此傳統(tǒng)的諧振柵極驅(qū)動電路不適用于GaN器件。
本文針對高頻應用場合中寄生參數(shù)易引起驅(qū)動信號震蕩的問題,結合GaN器件特點,提出了一種基于電壓移位電路的非對稱諧振柵極驅(qū)動,可靈活調(diào)節(jié)開通和關斷電壓,提升了驅(qū)動方案的可靠性及效率。此外,對于需要兩個同步開關的應用場合,如開關電感變換器等,采用具有兩個副邊的變壓器實現(xiàn)兩路隔離同相驅(qū)動信號的輸出。
本文提出的基于電壓移位電路的非對稱諧振柵極驅(qū)動電路如圖1所示。其中變壓器有兩個副邊,原副邊匝比為1:1:1,可實現(xiàn)原副邊的隔離以及兩路同步信號的輸出。
相比于傳統(tǒng)方案,減少了一組全橋電路,電路結構更加簡單同時損耗也相應減小。通過變壓器副邊的漏感Lr與開關管的寄生電容諧振,取消了抑制振蕩的柵極電阻,可提升開關速度并且降低損耗。同時增加電平移位電路調(diào)節(jié)驅(qū)動電壓偏置,通過調(diào)節(jié)電阻R1、R2大小,使驅(qū)動信號的電壓滿足開關器件的要求。
圖中諧振電感大小直接決定著驅(qū)動電路的充電電流和開關速度,同時影響諧振網(wǎng)絡的工作狀態(tài)和S1-S4的軟開關情況,從而影響驅(qū)動電路的效率。因此,在滿足諧振條件的情況下,諧振電感的選擇應綜合考慮開關速度、系統(tǒng)損耗及防止開關誤動作的問題。
圖1 基于變壓器的諧振柵極驅(qū)動電路
本文針對GaN器件提出了一種具有非對稱電壓和兩個同步驅(qū)動信號的諧振柵極驅(qū)動電路。本文在傳統(tǒng)的諧振驅(qū)動電路的基礎上,增加負電壓以確??煽筷P斷,并基于電壓移位電路產(chǎn)生較小的關斷電壓以降低損耗。此外,采用具有兩組副邊的變壓器來產(chǎn)生兩個同步驅(qū)動信號,可應用于如開關電感變換器等應用場合。通過優(yōu)化諧振電感參數(shù),在1MHz開關頻率下,所提出的諧振驅(qū)動電路損耗相比于基于驅(qū)動芯片的硬驅(qū)動電路效率可大幅提升。
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