碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），具有擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、開關(guān)損耗小、耐溫耐候特性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，具有逐步取代傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢(shì)。高壓電力電子模塊發(fā)展的核心是研發(fā)具有更高性能的高壓功率半導(dǎo)體及與之匹配的可靠封裝。

使用寬禁帶功率半導(dǎo)體能進(jìn)一步提升高壓功率模塊的變換效率、功率密度和可靠性。受封裝技術(shù)研發(fā)的限制，目前高壓電力電子模塊參數(shù)遠(yuǎn)未達(dá)到寬禁帶半導(dǎo)體材料的極限參數(shù)。研究與寬禁帶功率半導(dǎo)體匹配的封裝技術(shù)是高壓電力電子模塊發(fā)展的重點(diǎn)方向之一。

團(tuán)隊(duì)研發(fā)的空間電荷與電流聯(lián)合測(cè)試技術(shù)，通過上海計(jì)量測(cè)試中心的檢測(cè)，中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)鑒定為國(guó)際先進(jìn)，部分參數(shù)國(guó)際領(lǐng)先。