5G通信和物聯(lián)網(wǎng)時代即將到來，各類芯片不斷高性能化，設(shè)計規(guī)模也不斷變大。而近年逐漸失效的摩爾定理，很難使芯片的價格和工藝尺寸同時減小，因此在實現(xiàn)高性能的同時，節(jié)約功耗和降低生產(chǎn)成本越來越受關(guān)注。對于數(shù)字信號處理芯片，乘、加、乘加算法都是其較為常見的運(yùn)算模塊，將3種算法整合在一起，并使其可以自由切換工作狀態(tài)，能較大地節(jié)省面積成本。

除此之外，低功耗技術(shù)設(shè)計和可測試性設(shè)計（desgin for test, DFT）技術(shù)也可以降低芯片功耗成本和測試成本。利用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)格式（unified power format, UPF）實現(xiàn)多電壓技術(shù)。根據(jù)不同模塊性能需求，在芯片內(nèi)劃分不同的電壓域（power domain）進(jìn)行分割處理，實現(xiàn)低功耗設(shè)計。

而DFT中的掃描鏈技術(shù)（scan chain）可以在短時間內(nèi)檢查芯片內(nèi)部各寄存器的好壞，早一步將因工藝缺陷和塵埃附著的損壞芯片在裸片階段檢測出來，可以防止損壞的芯片流入下一階段的設(shè)計中而造成更大損失。

1 電路設(shè)計

1.1 電路邏輯設(shè)計

加、乘、乘加是數(shù)字處理芯片常見的3種算法，但芯片內(nèi)3種算法都在滿負(fù)荷同時工作的狀態(tài)中的情況并不多見，因此在芯片中插入一些可切換狀態(tài)，并整合了3種功能的乘加器，隨芯片的工作需要，調(diào)整芯片的工作狀態(tài)，可以節(jié)省面積。

本設(shè)計中以二輸入的mode信號作為控制信號，mode信號通過控制數(shù)據(jù)選擇器，來控制在各模塊輸入和頂層輸出端的采樣，最終來控制乘加器工作狀態(tài)，如圖1所示。

輸入mode分別在00、01、10、11時，乘加器分別切換到乘、加、乘加、關(guān)閉的工作狀態(tài)。除此之外mode信號還控制著電源控制模塊的狀態(tài)，完成多電壓控制。乘加器設(shè)計在200M頻率下工作，在SMIC55nm工藝下，不同設(shè)計方案的模塊綜合面積見表1。其中分散模塊指3種運(yùn)算模塊分開設(shè)計，并同時存在于設(shè)計中。

圖1 多狀態(tài)乘加器結(jié)構(gòu)圖

表1 不同設(shè)計方案的綜合面積比較

本次設(shè)計的32位乘加器共分為4個步驟：

1）編寫Verilog語言及Testbech完成電路邏輯設(shè)計實現(xiàn)仿真。

2）利用Synopsys的邏輯綜合（design compiler, DC）的拓補(bǔ)模式將寄存器傳輸級（register transfer level, RTL）verilog代碼轉(zhuǎn)換為門級電路，同時插入UPF和scan chain分別對乘加器的電壓供電情況和掃描鏈進(jìn)行描述，并利用TetraMAX生成測試向量。

3）利用Synopsy的集成電路布局布線工具（integrated circuit compiler, ICC），最終生成GDS格式的版圖。

4）利用Primerail對生成的版圖進(jìn)行功耗測試。

1.2 多電壓綜合

多電壓設(shè)計，利用了UPF，其現(xiàn)在已經(jīng)成為IEEE- 1801標(biāo)準(zhǔn)且為國際三大電子設(shè)計自動化（electro- nics design automation, EDA）廠商均支持的標(biāo)準(zhǔn)。在此使用UPF技術(shù)描述設(shè)計電路的電壓工作狀態(tài)，分別降低動態(tài)和靜態(tài)功耗：

1）降低動態(tài)功耗

將需要資源需求較大的乘法劃為高電壓的電壓域PDM，將在對于資源要求一般的加法器劃為低電壓的電壓域PDA，其余模塊會被EDA工具默認(rèn)置入頂層模塊所在低電壓的PDT電壓域，使不同性能需求的模塊分別在高低電壓下工作，從而降低動態(tài)功耗（dynamic power）。由于PDT和PDM的電壓不同，因此還需對它們之間的輸入輸出信號插入電平轉(zhuǎn)換單元（level-shifter），如圖2所示。動態(tài)功耗的主要消耗為開關(guān)功耗。

公式1

圖2 乘加器模塊電壓域圖

2）降低靜態(tài)功耗

要降低靜態(tài)功耗可以在模塊處于非工作狀態(tài)時對其進(jìn)行關(guān)斷。這里需要插入和替換各種多電壓器件：①電源開關(guān)將電壓域的主電源關(guān)閉或打開；②保留寄存器可以在主電源關(guān)閉時以備用電源供電，以保留斷電之前的數(shù)據(jù)；③隔離單元用于將關(guān)閉的電壓域的數(shù)據(jù)進(jìn)行穩(wěn)定輸出，防止不定態(tài)輸出。

在RTL設(shè)計中電源控制模塊控制著他們的工作狀態(tài)，如圖2所示，虛框內(nèi)為電源控制模塊。當(dāng)一個模塊要關(guān)斷時，sr_crtl信號會先將保留寄存器切換至save狀態(tài)以保存住這些寄存器的現(xiàn)時數(shù)據(jù)，并隨后sw_crtl信號關(guān)閉電源開關(guān)，iso_crtl信號打開隔離單元承擔(dān)數(shù)據(jù)的輸出。

若要重新打開一個電壓域，其保留寄存器要在電源開關(guān)開啟后換至restore狀態(tài)，讀取斷電前被保存的數(shù)據(jù)。最終，乘加器模塊通過合理地開關(guān)各電壓閾最終達(dá)到降低靜態(tài)功耗（leakage power）的目的。

公式 2

設(shè)計好各電壓域工作狀態(tài)后，還需建立電源狀態(tài)表定義不同狀態(tài)的各電壓域工作電壓，見表2，本次設(shè)計采用了多角多模（multi corner multi mode, MCMM）模型，為了驗證不同電壓下的工作情況，除了表中標(biāo)出的電壓外，還添加了上下兩個相差10%的電壓，以確保芯片在這些不同電壓下均可以正常工作。

表2 乘加器電源狀態(tài)表

1.3 電源控制模塊封裝掃描

掃描鏈測試的掃描方法實際上就是將各觸發(fā)器加上一個數(shù)據(jù)選擇器，使其擁有兩個模式。第一個為正常模式，在正常模式下，所有的寄存器如同往常一樣工作。另一種為掃描測試模式，實質(zhì)上就是將觸發(fā)器連接成多個移位寄存器，稱為掃描寄存器。

在測試模式下，掃描時鐘控制掃描寄存器，捕獲輸出信號后比對數(shù)據(jù)以檢測寄存器是否正常工作，這樣較大節(jié)省了測試時間和成本。

但與普通的可測試性設(shè)計不同，因為多電壓設(shè)計中含有普通設(shè)計中沒有的隔離單元，保留寄存器，電源開關(guān)，它們的工作狀態(tài)均受信號的控制。但在掃描模式下，所有的寄存器的輸出值均是由掃描信號掃描輸入的，而與其在功能模式下正常工作不同，受控的保留寄存器和隔離單元會產(chǎn)生信號錯亂，這些錯誤的信號控制著這些多電壓器件工作狀態(tài)，最終導(dǎo)致整個芯片在掃描模式下全部混亂。

因此在掃描鏈設(shè)計時，電源控制模塊的掃描鏈需要單獨設(shè)計。在此對兩種不同的信號控制方法，一種外部輸入并直接控制，另一種為信號控制模塊在芯片內(nèi)部，對二者掃描鏈設(shè)計有兩種不同的設(shè)計方案。

1）信號由外部輸入時

可以將外部輸入的多電壓控制信號設(shè)置為Constant模式，將信號固定在0或1值，這樣就使各種多電壓等在DFT測試階段均不做信號改變的動作，再按常規(guī)步驟對剩余電路進(jìn)行掃描鏈設(shè)計。

2）電源控制模組在芯片內(nèi)部

如本設(shè)計，若電源控制模組在芯片內(nèi)部時，如果將其模塊的控制信號輸出值固定，這樣雖然不會打亂受控多電壓器件的工作狀態(tài)，但是也無法對電源控制模組進(jìn)行掃描測試。因此需要將內(nèi)部的電源控制模塊單獨封裝為一個封裝掃描鏈，進(jìn)行測試，如圖3所示。

圖3 電源控制模塊封裝掃描鏈設(shè)計圖

其原理其實就是將電源控制模塊的輸出部分封裝，并與芯片內(nèi)其余的掃描鏈分開，形成一條單獨的掃描鏈，并且此掃描鏈的時鐘也不是其余掃描鏈模塊共用的掃描時鐘，而是一個單獨時鐘shift_clk，并由update_clk和override信號的組合控制使其控制的多電壓器件可以正常工作。最終實現(xiàn)對整個芯片各個模塊的測試覆蓋，并且不會產(chǎn)生信號混亂的問題。

但這條特殊的掃描鏈不能與其余掃描鏈壓縮在一起，所以需要單獨的掃描IO端口。但對于乘加器模塊來說，其IO端口多達(dá)幾十個，在掃描模式中，不用從功能模塊的IO端口中輸入輸出。因此在掃描鏈設(shè)計時，各種額外的端口可以借用功能模式下的IO端口，利用一個數(shù)據(jù)選擇器進(jìn)行復(fù)用，這樣可以節(jié)省IO端口的使用，從而也可以節(jié)省芯片的面積。

使用TetraMAX軟件，對插入掃描鏈后的電路進(jìn)行自動測試向量生成。運(yùn)行結(jié)果表明，掃描測試的測試覆蓋率為96.8%，滿足設(shè)計要求。生成的測試向量將在芯片生產(chǎn)后供測試使用。

1.4 物理設(shè)計

將插入綜合好的verilog、UPF、scan_def和sdc格式的文件分別讀入ICC后，對其進(jìn)行數(shù)字版圖設(shè)計。在整體布局上，由左輸入，由右輸出，輸出數(shù)據(jù)先經(jīng)頂層模塊到乘法器模塊，再連接加法器模塊，最后由輸出端口輸出。

除了常規(guī)的數(shù)字版圖流程外，還要創(chuàng)建voltage area與在UPF定義的power domain的對應(yīng)。前者是在物理設(shè)計中真實存在的電壓區(qū)域，需要定義大小、高度、位置，而后者則僅僅是對其電壓模塊的邏輯電壓定義。

在此voltage的區(qū)域與乘法器模塊區(qū)域完全重疊。多電壓器件的電源開關(guān)也要在物理設(shè)計確定具體的位置，而不是由工具自動擺放，因此要確保需要關(guān)斷的電壓域PDA和PDM內(nèi)每個標(biāo)準(zhǔn)單元的主供電電源都連接到電源開關(guān)。

乘加器模塊的供電方式采用了電源環(huán)外圍供電與電源網(wǎng)格供電，供電電壓分別為高（1.1～1.32V）、低（0.9～1.08V）、地（0V）3個電壓，其中乘法器模塊工作在高電壓的工作模式下，整體布局圖如圖4所示。再經(jīng)自動布局布線（place and route, P&R）過程后最終生成GDS版圖。

圖4 多狀態(tài)乘加器物理設(shè)計布局圖

2 功耗分析

乘加器設(shè)計在200M頻率下工作，乘法器工作在1.08V，加法器工作在0.9V時，利用Primerail工具進(jìn)行評估，并調(diào)用SMIC55nm工藝庫標(biāo)準(zhǔn)單元，其布局后功耗見表3。

表3 不同模式功耗消耗

由表3可見，在多電壓設(shè)計下，芯片運(yùn)行在全負(fù)荷的乘加模式仍比單電壓設(shè)計節(jié)省功耗8.0%，除此外，多電壓設(shè)計還可以根據(jù)需要對不同模塊按需進(jìn)行開啟和關(guān)斷，更徹底地降低功耗。

3 結(jié)論

本文簡述了多電壓設(shè)計與掃描鏈設(shè)計在一個可以切換工作狀態(tài)的32×32乘加器設(shè)計同時應(yīng)用的方案。該方案結(jié)合了UPF和scan chain技術(shù)的概念及使用。

前者可以對不需要工作的模塊進(jìn)行電源關(guān)斷降低靜態(tài)功耗，及將不同性能的模塊分高低電壓處理降低動態(tài)功耗；后者可以實現(xiàn)在裸片時對芯片進(jìn)行測試驗證其好壞。兩種技術(shù)可以在犧牲較小的面積的前提下同時實現(xiàn)。